يقال إن الشريحة، التي تسمى HBM3E 12H، هي أول شريحة HBM3E DRAM مكونة من 12 حزمة، وهي نوع من ذاكرة أشباه الموصلات مناسبة لتخزين كميات كبيرة من البيانات بتكلفة منخفضة نسبيًا.

وقال يونج تشول باي، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في شركة “إن حل الذاكرة الجديد هذا هو جزء من سعينا لتطوير تقنيات HBM (ذاكرة عرض النطاق الترددي) الأساسية وتوفير الريادة التكنولوجية لسوق HBM عالي السعة في عصر الذكاء الاصطناعي”. سامسونج للإلكترونيات.

في معرض CES 2024، أعلن هان جين مان، نائب الرئيس التنفيذي المشرف على أعمال سامسونج لأشباه الموصلات في الولايات المتحدة، أن سامسونج تخطط لزيادة إنتاج رقائق HBM بشكل كبير.

تقول سامسونج إن HBM3E 12H يوفر عرض نطاق ترددي غير مسبوق يصل إلى 1,280 جيجابايت (1.25 تيرابايت) في الثانية، مما يضع معيارًا صناعيًا جديدًا يبلغ 36 جيجابايت.

يأتي ذلك بعد يوم واحد من إعلان شركة Micron المنافسة عن إنتاج كميات كبيرة من جهاز HBM3E عالي السرعة بسعة 24 جيجا بايت وسعة 8 لتر، والذي يستخدم في أجهزة الكمبيوتر لأغراض مثل تطبيقات الذكاء الاصطناعي والرسومات فائقة التفاصيل.

يقول ميكرون إن HBM3E يمكنه نقل أكثر من 1.2 تيرابايت من البيانات كل ثانية، على غرار عرض النطاق الترددي الذي تبلغه سامسونج والذي يبلغ 1.25 تيرابايت في الثانية.

تمتلك Micron حاليًا حصة متواضعة من سوق HBM العالمي، لذا تستثمر الشركة بكثافة في منتج الجيل التالي، HBM3e، لتقليل هذه الفجوة بشكل كبير.

ومن الجدير بالذكر أن شركتي سامسونج وميكرون وكذلك SK Hynix تندرج ضمن قائمة أفضل الشركات في تصنيع شرائح DRAM حول العالم، والتي تستخدم في العديد من الأجهزة مثل الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر. هي تقنية ذاكرة متقدمة تستخدم في الأجهزة شبه الموصلة، خاصة في وحدات معالجة الرسومات، ووحدات المعالجة المركزية، وغيرها من تطبيقات الحوسبة عالية الأداء.